ИЗУЧЕНИЕ ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЖЕЛЕЗА, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В КРЕМНИЙ И ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА СТРУКТУРУ
Abstract
В работе приведены результаты исследований изучения профилей распределения имплантированных атомов железа в кремнии в зависимости от дозы облучения и температуры отжига методом РОР. Полученные результаты подтверждают аналогичные данные, полученные ВИМС. Изучено влияние термоотжига на распределение железа и других примесей, в частности, кислорода. Приведена возможность использования метода РОР для анализа концентрационного распределения и взаимодействия примесей между собой. Одновременно исследовались кристаллическая структура поверхности и электрофизические свойства ионно-легированных слоев.
References
1. Gerasimenko.N.N., ParkhomenkoYu.N. Silicon as material for nanoelectronics, // Technosfera, M. 2007.352P.
2. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051.
3. Pronin I.I., Gomonova M.V., Solovyev S.M., VilkovO.Yu., Vyalix D.V.// Condensed Matter Physics Journal, 53, 573 (2011).
4. Gomonova M.V., Pronin I.I. Journal of Technical Physics 81, 6, 120, (2011).
5. Lopatin O.M. Ion implantation of minerals and their synthetic analogs // Saabruken: Publishing House LAP. 2011. – 206 P.
6. Гельд П.В., Сидоренко Ф.А. Силициды переходных металлов IV периода. // – М.: Металлургия, 1971, С.584.
7. Лифшиц В.Г. Электронная структура и силицид образование в тонких плёнках переходных металлов на кремнии // Препринт, 1984, С.260.
8. Эгамбердиев Б.Э. «Электронно-спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно- имплантированных слоев в кремнии». Докторская диссертация – М, 2003,С 243.
9. Эгамбердиев Б.Э., Абдугабборов М. Изучение некоторых особенностей профилей распределения имплантированных атомов Mn, Fe и Ni в Si // Вестник ТГТУ, 1994.,Т.1-2., С.39-44.
10. Egamberdiev B.E., Iliev Kh.M., Nasriddinov S.S., Toshev A.R., Zoirova M.E. Photoelectric properties of silicon-based solar cells implanted with rare earth elements. // Conference . Russia, Vladivostok, 2006. РР. 204-208.
11. Эгамбердиев Б.Э. , Маллаев А. С. Кремниевые силицидные структуры на основе ионного легирования. // Т.:изд. «Наука и технология» 2019г. 168с.
12. Эгамбердиев Б.Э., Рахманов А.Т. и др. “Исследование методом РОР профиля распределения ионно-имплантированных атомов железа в кремнии ”. // Science and world, 2018, vol.1, №1(53), с.57-60
13. Egamberdiev B.E., Rakhmanov A.T., Mallaev A.S., Rozikov S. Research by method of Rutherford backscannering distribution of ion-implanted atoms of Fe in Si. // Science and world.2018. 1(53).vol.1.p.57-60
14. Miquita D.R., Paniago R., Rodrigues W.N., Moreira M.V., Pfannes H.-D., Oliveira A.G. Growth of (3-FeSi2 layers on Si(lll) by solid phase and reactive deposition epitaxies. // Thin Solid Films. 2005. V. 493. P. 30 - 34.
15. Egamberdiev B.E., Mallaev A.S., Toshev A.R. Osobennosti eleMronnoi struktury ionno -implantirovannyh sloev Ni, Fe i Co v kremnii. [Features of the electronic structure of ion-implanted Ni, Fe, and Co layers in silicon] // Mezhdunarodnaya konferenciya. Rossiya [International Conference], 2009, Russian, Tomsk, pp. 77-80. (In Russ.)
16. Avila J., Mascaraque A., Teodorescu C., Michel E.G., Asensio M.C. Fe/Si(lll) interface formation studied by photoelectron diffraction. // Surf. Sci. 1997. V. 377 - 379. P. 856 - 860.
17. Hong S., Wetzel P., Gewinner G., Bolmont D., Pirri C. Formation of epitaxial Fe3.xSi1+.t(0
18. Hong S., Kafader U., Wetsel P., Gewinner G., Pirri S. Hith-resolution x- ray photoemission study of metastable Fe silicides core-electron states. // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 17667.
19. Biesinger M.C., Paynec B.D., Grosvenor A.P., Laua L.W., Gersonb A.R., Smart R. Resolving surface chemical states in XPS analysis of first row transition metals, oxides and hydroxides: Cr, Mn, Fe, Co and Ni // Appl. Surf. Sci. – 2011. – V. 257, No. 7. – P. 2717–2730. – doi: 10.1016/j.apsusc.2010.10.051 .
20. Phillips JM, Augustyniak WM. Growth of an epitaxial insulator‐metal‐semiconductor structure on Si by molecular beam epitaxy. // Applied physics letters. 1986;48(7):463-5.
