ИССЛЕДОВАНИИ ТРЕТЬЕМ ПОКОЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Abstract
Надежность полупроводниковых приборов прежде всего существенно определяется степенью совершенства исходного материала в тоже время, и очень сильно зависит от используемых методов технологической обработки. Большая ширина запрещенной зоны материала также позволяет значительно уменьшать размеры транзистора по сравнению с кремнием, в котором при значительном уменьшении начинает происходить электрический пробой. Ведь чем шире запрещенная зона, тем большую энергию нужно сообщить электрону для перехода между состояниями. Более того, все известные в настоящий момент полупроводниковые материалы устроены таким образом, что и энергия связи частиц в атоме возрастает монотонно с увеличением ширины запрещенной зоны.
References
1. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ им. Б.П. Константинова РАН, 1997).
2. Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992).
3. B.A. Wilson. IEEE J. Quant. Electron., 24 (8) 1763 (1988).
4. A.P. Dmitriev, M.P. Mikhailova, I.N. Yassievich. Phys. Status Solidi (b), 140, 9 (1987).
5. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, R-109 (1994).
6. S.V. Ivanov, P.S. Kopev. In: Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, V. 3. Antimonide-Related Stained-Layer Heterostructures, ed. by M.O. Manasreh (Amsterdam, Gordon and Breach Science Publishers, 1997) chap. 4, p. 109.
7. A.J. Nozik. In: Next Generation Photovoltaics. High efficiency through full spectrum utilization. Series in Optics and Optoelectronics, ed. by A. Marto and A. Loigue (Bristol and Phyladelphia, IOP Publishing, 2004) chap. 9. p. 196.
8. F. Capasso. ” Avalanche Photodiodes“ in: Semiconductors and Semimetals, Light-wave communication technology, v. 22, ed. by W.T. Tsang (Holmdel, N. Y., AT&T Bell Lab., 1982) Pt D. Photodetectors. [Техника оптической связи, пер. с англ. под ред. М.А. Тришенкова (М., Мир, 1998)].
9. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках. – Л.: Энергия, Ленингр. отд-ние, 1980. – 152 с.
10. Лебедев А.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: ФИЗМАЛИТ, 2008. – 488 с.
11. Тагер А.С. Лавинно-пролетный диод и его применение в технике СВЧ // Успехи физических наук. - 1966. - Т. 90. - Выпуск 4. – С. 631-666.
12. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - М: Высшая школа, 1991. – 622 с.
13. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Кн. 1. - Пер. с англ. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
14. Райзер Ю. П. Физика газового разряда. — Наука, 1992. — 536 с.
15. Шокли В. Проблемы, связанные с р-n-переходом в кремнии // Успехи физических наук. - 1962. - Т. 77. - С. 161-196.
16. Ионычев В.К. Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n-перехода: специальность 01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков»: диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук; Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, 1999. – 191 с.
17. Chynoweth А. G. Charge multiplication phenomena // Semiconductors and semimetals. - 1968. - v. 4. - P. 263 - 325.
18. Келдыш Л. В. К теории ударной ионизации в полупроводниках // ЖЭТФ. -1965. - Т. 48. - С. 1692-1706.
19. Кюрегян А. С. Об ударной ионизации в полупроводниках в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. - 1976. - Т. 10. - С.690-694.
20. Чуенков В. А. Влияние магнитного поля на ударную ионизацию в валентных полупроводниках с эллипсоидальными поверхностями равной энергии // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Т. 4. - С.1667-1676. 21. Baraff G. А. Distribution functions and ionization rates for hot electrons in semiconductors // Phys. Rev. - 1962. - V. 128. - P. 2507-2517.
22. Ghosh R., Roy S. K. Effect of electron-electron interactions on the ionization rate of charge carriers in semiconductors // Solid - St. Electron. - 1975. - V.18. - P.945948.
23. Moll J. L., Meyer N. Secondary multiplication in silicon // Solid - St. Electron. - 1961. - V.3. – P.155-158.
24. Nutall K. L, Nield M. W. Prediction of avalanche breakdown voltage in silicon step junctions // Int. J. Electron. - 1974. - V.37. - P.295-309.
25. Wolf P. A. Theory of electron multiplication in Si and Ge // Phys. Rev. - 1954. - V. 95. – P.1415-1419.
26. Ван Оверстратен Р., Де Ман Х. Электронная техника твердого тела. 13, стр. 583–608 (1970).
27. Г. Э. Булман, В. М. Роббинс и Г. Э. Стиллман, IEEE Trans. Электронные устройства 32 (11), стр. 2454–2466 (1985).
28. Х. Нива, Дж. Суда и Т. Кимото, IEEE Trans. Электронные устройства 62(10), стр. 3326–3333 (2015).
29. Poleshuk M., Dowling P. H. Microplasma breakdown in germanium // J. Appl. Phys. - 1963. - V.34. – P.3069-3077.
30. Keil G., Ruge G. Microplasmas in GaAs diodes // J. Appl. Phys. - 1965. - V. 31. - P.2600-2602.
32. Верман Б.С, Евстропов В.В., Царенков Б.В. Свойства отдельных микроплазм в GaP р-n-структурах // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Т.5. - В.1. - С.134-138.
33. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т.32, №1. - С.63-67.
34. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: учеб. для студ. Вузов. 3-е изд. – СПб.: Издательство «Лань», 2001. – 368 с.
35. Ионычев В.К., Кузьмин В.В., Серёжкин Ю.Н. Характеристики микроплазмы в фосфидгаллиевом р-n-переходе // Сборник научных трудов учёных Мордовского государственного университета им. Н. П. Огарёва. - 1998. - Ч. 3. – С. 34-37.
36. Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники: учебное пособие. – Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2013. – 560 c. 37. Якимов А.В. Физика шумов и флуктуаций параметров: Эл. учеб. пособие. Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2013. – 85 с. 38. Вавилов В.С. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений // Успехи физических наук 164, 1994.
39. Haitz R.H. J. Appl. Phys., 1965.
40. Pilkuhn M.H. “Light-emitting diodes” in Handbook of Semiconductors edited by T.S. Moss, 4, edited by C. Hilsum, 1981. – 539 p.
41. Юнович А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В сборнике «Излучательная рекомбинация в полупроводниках». – М.: Наука, 1972. – С. 224-304.
42. Schubert F. Light-emitting diodes Second edition. – Cambridge: Cambridge University Press, 2006. – 418 с.
43. Булярский С.В., Серёжкин Ю.Н., Ионычев В.К. Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах // Физика и техника полупроводников. – 1999. – т. 33, вып.11. – С. 1345-1349.
44. Ионычев В.К., Ребров А.Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов // Физика и техника полупроводников. – 2009. – т. 43, вып. 7. – С. 980-984
45. B. J. Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, (Springer, 2008), pp. 91–166.
46. Ю. Чжан, М. Сунь, Д. Пьедра, М. Азизе, К. Чжан, Т. Фудзисима и Т. Паласиос, IEEE Electron Device Lett. 35(6), стр.618–620 (2014).
47. Ю. Чжан, Х.-Ю. Вонг, М. Сан, С. Джоглекар, Л. Ю, Н. А. Брага, Р. В. Мицкевичюс и Т. Паласиос, IEDM Tech. Дайджест (2015) с. 35.1.
39. И. К. Кизилялли, Т. Прунти и О. Актас, IEEE Electron Device Lett. 36(10), стр.1073–1075 (2015).
48.К. Номото, Б. Сонг, З. Ху, М. Чжу, М. Ци, Н. Канеда, Т. Мисима, Т. Накамура, Д. Йена, Х.Г. Син и IEEE Electron Device Lett. 37(2), стр. 161–164 (2017).
49. Т. Хиёси, Т. Хори, Дж. Суда и Т. Кимото, IEEE Trans. Электронные устройства 55 (8), стр. 1841–1846 (2008).
50.Tagaev M.B., Abdreymov A.A. Modeling mikroplasmas p-n junction. EPRA International Journal of Multidisciplinary Research (IJMR) - Peer Reviewed Journal Volume: 8| Issue: 6| June 2022|| Journal DOI: 10.36713/epra2013 || SJIF Impact Factor 2022: 8.205 || ISI Value: 1.188
