ОСОБЕННОСТИ ТЕПЛОПЕРЕДАЧИ В КРЕМНИЕВЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРАХ.

Authors

  • Али Абдреймов Author
  • Амангул Арзиева Author

Abstract

Надежность полупроводниковых устройств в значительной степени определяется качеством исходного материала, а также методами технологической обработки. В процессе электронного транспорта передаются как электрический заряд, так и тепловая энергия. В металлических материалах тепло в основном переносится электронами, тогда как в полупроводниках основная часть тепловой энергии передаётся фононами, а вклад электронов в теплоперенос незначителен.

References

1. Callaway J. Model for lattice thermal conductivity at low tevpretures. Phys. Rev, 1959, vol. 11, no. 4, pp. 1046– 1051.

2. Holland M. G. Analysis of lattice thermal conductivity. Phys. Rev, 1963, vol. 132, no. 6, pp. 2461–2471.

3. Jeong C., Datta S., Lundstrom M. . Thermal Conductivity of Bulk and Thin-Film Silicon: A Landauer Approach. J. Appl. Phys, 2012,vol. 111, p. 093708.

4. Gang Chen. Nanoscale Energy Transport and Conversion: A Parallel Treatment of Electrons, Molecules, Phonons, and Photons. New York: Oxford University Press: 2005, p. 560.

5. Займан Дж. Электроны и фононы. Теория явлений переноса в твердых телах. М.: ИИЛ, 1962. 488 с.

6. Займан Дж. Принципы теории твердого тела.М.:Высшая школа,1974. 478 с.

7. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 789 с.

8. Ашкрофт Н., Мермин Н. Физика твердого тела, тома 1 и 2. М.: Мир, 1979.

9. Mohr M., Maultzsch J., Dobardžić E., Reich S., Milošević I., Damnjanović M., Bosak A., Krisch M., Thomsen C. Phonon dispersion of graphite by inelastic x-ray scattering. Phys. Rev. B., 2007, vol. 76, no. 3, p. 035439/7.

10. Елецкий А. В.,Искандарова И.М.,Книжник А.А., Красиков Д.Н.Графен: методы получения и теплофизические свойства // УФН. 2011. Т. 181. С. 227-258.

11. Katsnelson M. I. Graphene: Carbon in Two Dimensions. New York: Cambridge University Press, 2012. 366 p.

12. Кругляк Ю. А. Обобщённая модель электронного транспорта Ландауэра–Датты–Лундстрома // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2013. Т. 11, № 3. C. 519–549.

13. Schwab K., Henriksen E. A., Worlock J. M., Roukes M. L. Measurement of the quantum of thermal conductance. Nature, 2000, vol. 404, pp. 974–977.

14. Jeong C., Kim R., Luisier M., Datta S., Lundstrom M. On Landauer versus Boltzmann and full band versus effective mass evaluation of thermoelectric transport coefficients. J.Appl. Phys., 2010, vol. 107, p. 023707.

15. Tagaev M., Abdreymov A. Modern state of physics in the research of microplasma breakdown in silicon p-n junctions and diodes and schottky. 2023 EPRA.IJRD|Journal.DOI:https://doi.org/10.36713/epra.2016. | https://eprajournals.com/ |344 |

16. Jeong C., Datta S., Lundstrom M. Full Dispersion versus Debye Model Evaluation of Lattice Thermal Conductivity with a Landauer Approach. J.Appl.Phys, 2011, vol. 109, p. 073718/8

17. Glassbrenner C.J., Slack G.A. Thermal Conductivity of Silicon and Germanium from 3º K to the Melting Point. Phys. Rev.,1964, vol. 134, no. 4A, p. A1058.

Downloads

Published

2025-10-26